芯片剪切強(qiáng)度測(cè)試的意義
芯片剪切強(qiáng)度試驗(yàn)主要是考核芯片與底座的附著強(qiáng)度，評(píng)價(jià)芯片安裝在底座上所使用的材料和工藝步驟的可靠性，是對(duì)芯片封裝質(zhì)量的測(cè)試方法。根據(jù)剪切力的大小來判斷芯片封裝的質(zhì)量是否符合要求，并根據(jù)芯片剪切時(shí)失效的位置和失效模式來及時(shí)糾正芯片封裝過程中所發(fā)生的問題。芯片封裝過程有很多的工藝方法和工藝材料，當(dāng)芯片、粘結(jié)料、底座間未能很好結(jié)合時(shí)，包括粘結(jié)面積不夠、位置不對(duì)及粘結(jié)層內(nèi)有空洞，都可以直接從芯片的剪切力水平上表現(xiàn)出來。器件經(jīng)例行試驗(yàn)后，由于機(jī)械、溫度、潮濕及電應(yīng)力作用，內(nèi)引線抗拉性的下降，芯片與底座間的熱匹配不良及熱疲勞造成的粘結(jié)間焊料空洞均會(huì)影響器件的可靠性。對(duì)于車載元器件的可靠性來說，芯片剪切應(yīng)力測(cè)試是必要的檢測(cè)、監(jiān)控和質(zhì)量控制的重要項(xiàng)目。即使對(duì)于一般的民用元器件，芯片剪切力測(cè)試也是產(chǎn)品質(zhì)量競(jìng)爭(zhēng)中，對(duì)器件質(zhì)量把關(guān)和穩(wěn)定工藝的重要項(xiàng)目之一。



測(cè)試方法
芯片剪切強(qiáng)度方法
通過一臺(tái)能施加負(fù)載的儀器，將力均勻地施加到芯片的一個(gè)棱邊，對(duì)芯片施加不斷增大的推力，對(duì)芯片進(jìn)行平行推移，觀察芯片能否承受所加的剪切力，通過剪切強(qiáng)度的大小來評(píng)價(jià)芯片封裝的牢固程度。
測(cè)試依據(jù)：GJB 548B、JIS Z 3198-7

失效判定依據(jù)（參考GJB 548B）：
達(dá)不到以下任意一條判據(jù)的器件均視為失效：
A、達(dá)不到下圖中1.0倍曲線所標(biāo)識(shí)的芯片強(qiáng)度要求；
B、使芯片與底座脫離時(shí)施加的力小于下圖中標(biāo)有1.0倍曲線所表示的最小強(qiáng)度的1.25倍，同時(shí)底座上保留有芯片附著材料痕跡的區(qū)域小于附著區(qū)域面積的50%；
C、使芯片與底座脫離時(shí)施加的力小于下圖中標(biāo)有1.0倍曲線所表示的最小強(qiáng)度的2.0倍，同時(shí)底座上保留有芯片附著材料痕跡的區(qū)域小于附著區(qū)域面積的10%。

芯片剪切強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)（最小作用力與芯片附著面積的關(guān)系）

AEC-Q的要求
AECQ認(rèn)證的芯片剪切強(qiáng)度測(cè)試要求
AECQ車載電子認(rèn)證針對(duì)集成電路芯片、分立器件、光電元器件、被動(dòng)元器件等元件都有相應(yīng)的剪切強(qiáng)度方法測(cè)試要求。
芯片剪切強(qiáng)度測(cè)試可以評(píng)價(jià)芯片封裝的可靠性，通過環(huán)境預(yù)處理前后的剪切強(qiáng)度對(duì)比也可以用來評(píng)估封裝工藝制程變化的穩(wěn)定性。

關(guān)于北測(cè)
北測(cè)集團(tuán)（以下簡(jiǎn)稱"NTEK"）成立于2009年，總部位于深圳，主要從事智能網(wǎng)聯(lián)汽車、電子通信、新能源的研發(fā)驗(yàn)證、檢驗(yàn)檢測(cè)、失效分析、仿真模擬和市場(chǎng)準(zhǔn)入等質(zhì)量研究技術(shù)服務(wù)。
北測(cè)擁有豐富的車規(guī)級(jí)電子認(rèn)證經(jīng)驗(yàn)，已成功幫助100多家企業(yè)順利通過AEC-Q系列認(rèn)證。北測(cè)集團(tuán)以車企車規(guī)元器件國產(chǎn)化需求為牽引，依托國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，提供完善的檢測(cè)認(rèn)證服務(wù)，通過AEC-Q車用標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格把控汽車元器件安全質(zhì)量，助力國產(chǎn)車規(guī)級(jí)元器件大力發(fā)展，為打造智能汽車安全體系再添新動(dòng)力。